Electrical Properties of Co- and Cu-Doped Nickel Manganite System Thick Films for Infrared Detectors

이동진; 이성갑; 김경민; 권민수

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.5.261

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저자정보: 이동진 (경상대학교) 이성갑 (경상대학교) 김경민 (경상대학교 공학원 나노신소재융합공학과) 권민수 (경상대학교 공학원 나노신소재융합공학과)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제5호

발행연도: 2017.10

수록면: 261 - 264 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.5.261

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Ni0.79Co0.15-xCuxMn2.06O4 (0≤x≤0.09) thick films were fabricated using the conventional solid-state reaction method and screenprintingmethod. Structural and electrical properties of specimens based on the amount of Cu were observed in order toinvestigate their applicability in the infrared detector. All specimens showed a single spinel phase with a homogeneous cubicstructure. As the amount of Cu increased, the average grain size increased and was found to be approximately 5.01 μm forthe Ni0.79Co0.06Cu0.09Mn2.06O4 specimen. The thickness of all specimens was approximately 55~56 μm. As Cu content increased,the resistivity and TCR properties at room temperature decreased, and these values for the Ni0.79Co0.06Cu0.09Mn2.06O4 specimenwere 502 Ω-cm and ?3.32%/℃, respectively. The responsivity and noise properties decreased with an increase in Cu content,with the specimen with a Cu content of x=0.09 showing 0.0183 V/W and 5.21x10-5 V, respectively.

#Infrared detector #Ni0.79Co0.15-xCuxMn2.06O4 #Responsivity #Solid-state reaction method #Thick film

참고문헌 (10)

참고문헌 신청

W. Nunley / 1987 / Infrared Optoelectronic Devices and Applications / Marcel and Dekker, Inc. :257

J. Caniou / 1999 / Passive Infrared Detection Theory and Applications / Kluwer Academic Pub :1~26

J.E. Gray / 1998 / Semiconducting YBaCuO pyroelectric infrared detectors on suspended Si3N4 films / Electronics Letters 34(22):2164

Xing-Ming Liu / 2007 / Study on new structure uncooled a-Si microbolometer for infrared detection / Microelectronics Journal 38(6-7):735~739

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