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저자정보
Son Ngoc Truong (국민대학교) Khoa Van Pham (국민대학교) 양원선 (국민대학교) 조안재 (국민대학교) Huan Minh Vo (HCMC University of Technology and Education) 이미정 (국민대학교) 민경식 (국민대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.13 No.1
발행연도
2017.1
수록면
86 - 90 (5page)

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The sequence recognition is very essential in mimicking brain’s neocorticalfunction because most of input patterns to brain’s neocortex are dynamicallychanging over time, not static regardless of time. In this paper, we experimentallydemonstrate the sequence recognition for various input sequences using serialmemristors, for the first time. In this experiment, the serial memristors are used,which were fabricated with carbon fiber and aluminum film on glass substrate. Toverify the sequence recognition, we store the following 3 sequences in thefabricated serial memristors, which are ‘A’→‘B’→‘C’, ‘B’→‘A’→‘C’, and‘C’→‘B’→‘A’, respectively. By performing this experiment, it is verified theserial memristors are changed to Low Resistance State only when the inputsequence matches the stored one. When the input sequence is different from thestored one, the serial memristors remain unchanged. The simple voltagecomparator can be used to sense the output voltage to indicate whether thesequence matching happens or not. This experimental demonstration can be veryuseful to realize memristor crossbars which can process the temporal andsequential patterns in future.

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C. Mead / 1990 / Proceedings of the IEEE 78:1629 google schola D. B. Strukov / 2008 / Nature 453:80 google schola R. S. Williams / 2008 / IEEE Spectrum 45:28 google schola S. H. Jo / 2010 / Nano Lett 10:1297 google schola J. P. Strachan / 2011 / Nanotechnology 22:1 google schola

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