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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 738 - 741 (4page)
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In this work, further ion-beam was performed on SiO2-matrix B-doped Si-NC (SBC) thin films in order to enhance conductivity. The effect of ionbeamtype on the electrical properties of SBC thin films was investigatedsystematically. The results indicated that the conductivities of SBC thinfilms were significantly improved by both argon and hydrogen ion-beamtreatments, and the higher the hydrogen ion ratio, the higher theconductivity of SBC thin films. The conductivity of SBC thin films wasincreased from 1.82 × 10−6 S/cm to 3.2 × 10−3 S/cm with followinghydrogen-ion-beam treatment. The change in conductivity of SBC thinfilms was most possibly resultant from the ion-beam treatment facilitatingthe formation of higher superficial order and lower defects. An alternativemethod was proposed to prepare high-conductivity SBC thin films, whichmay be applied to other heterogeneous thin films.
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