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저자정보
Atteq ur Rehman (Sejong University) 이상희 (세종대학교) Muhammad Fahad Bhopal (Sejong University) 이수홍 (세종대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.4
발행연도
2016.1
수록면
439 - 444 (6page)

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Ni/Cu/Ag plated contacts were examined as an alternate to Ag screenprinted contacts for silicon (Si) solar cell metallization. To realize areliable contact for industrial applications, the contact resistance and itsadhesion to Si substrates were evaluated. Si surface roughness by picosecond(ps) laser ablation of silicon-nitride (SiNx) antireflection coating(ARC) was done in order to prepare the patterns. The sintering processafter Ni/Cu/Ag full metallization in the form of the post-annealingprocess was applied to investigate the contact resistivity and adhesion. Avery low contact resistivity of approximately 0.5 mΩcm2 has beenachieved with measurements made by the transfer length method(TLM). Thin finger lines of about 26 μm wide and a line resistance of0.51 Ω/cm have been realized by plating technology. Improved contactadhesion by combining the ps-laser-ablation and post-annealing processhas been achieved. We have shown the peel-off strengths >1 N/mm witha higher average adhesion of 1.9 N/mm. Our pull-tab adhesion testsdemonstrate excellent strength well above the wafer breakage force.

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