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저자정보
이동훈 (성균관대학교) Ki-Tae Lim (Sungkyunkwan University) 박응규 (성균관대학교) 신하철 (Sungkyunkwan University) 김정수 (Hanyang University) 박기찬 (건국대학교) 안종렬 (성균관대학교) 방진호 (한양대학교) 김용상 (성균관대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.3
발행연도
2016.1
수록면
376 - 382 (7page)

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This paper investigates the charge trapping mechanismand electrical performance of CdSe nanocrystals,such as nanoparticles and nanowires in organicfloating gate memory devices. Despite of samechemical component, each nanocrystals show differentelectrical performances with distinct trappingmechanism. CdSe nanoparticles trap holes in thememory device; on the contrary, nanowires trapelectrons. This phenomenon is mainly due to thedifference of energy band structures between nanoparticlesand nanowires, measured by the ultravioletphotoelectron spectroscopy. Also, we investigatedthe memory performance with C-V characteristics,charging and discharging phenomena, and retentiontime. The nanoparticle based hole trapping memorydevice has large memory window while the nanowire based electron trapping memory shows a narrow memory window. Inspite of narrow memory window, the nanowire based memory device shows better retention performance of about 55% of thecharge even after 104 sec of charging. The contrasting performance of nanoparticle and nanowire is attributed to the difference intheir energy band and the morphology of thin layer in the device.

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K. J. Baeg / 2006 / Adv. Mater 18:3179 google schola T. W. Kelley / 2004 / Chem. Mater 16:4413 google schola S. R. Forrest / 2004 / Nature 428:911 google schola J. C. Scott / 2007 / Adv. Mater 19:1452 google schola L. E. Hueso / 2007 / Adv. Mater 19:2639 google schola

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