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저자정보
Young Soo Lim (Pukyong National University) Chaeseon Lim (Pukyong National University) Gil-Geun Lee (Pukyong National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.15 No.1
발행연도
2019.1
수록면
49 - 55 (7page)

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We propose the oxide reduction process for the fabrication of p -type Bi x Sb 2− x Te 3 ( x = 0, 0.14, 0.24, 0.32, 0.40 and 0.54)compounds. Using starting materials in oxide forms only (Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , and TeO 2 ), we could fabricate the compoundswith competitive ZT values through the proposed process. The highest ZT of 1.23 was achieved at 373 K in Bi 0.32 Sb 1.68 Te 3 ,and the opportunity for tuning the optimum operating temperature of the compounds was also found. The eff ects of theBi content on the thermoelectric transport properties were investigated in detail, and it was proven from the viewpoints ofstructural, electrical, and thermal properties that oxide reduction process could be a general way to fabricate Bi 2 Te 3 -basedthermoelectric compounds.

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