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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.10
- 수록면
- 150 - 150 (1page)
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Cross-sectional Raman mapping has been performed on heavily doped p and n type fractal silicon (Si) nanostructures (SiNSs) to probe size gradient and size dependent electron-phonon interaction. The time dependent progression of metal assisted chemical etching to etch different portion of silicon wafer at different times leads to change in ilicon nanostructures’ s ... 전체 초록 보기
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