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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.10
- 수록면
- 53 - 53 (1page)
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We demonstrate a new device architecture for flexible vertical Schottky barrier (SB) transistors based on graphene-semiconductor–metal heterostructures and ion gel gate dielectrics. The vertical SB transistor structure was formed by (i) vertically sandwiching a semiconductor layer between graphene and metal electrodes and (ii) employing a separate coplanar gate electrode bridged with the vertical channel through an ion gel. The high intrinsic capacitance of the ion-gel gate dielectric fa ... 전체 초록 보기
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