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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Yuseok Jeon (Broadern) Jaejin Koo (Broadern)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.20 No.4
발행연도
2020.10
수록면
293 - 301 (9page)

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In this paper, we design and fabricate a broadband switching matrix box with low-noise figure, flat gain characteristics, and reliability by applying the chip-and-wire process using a bare-type MMIC device. To compensate for the mismatch among many components, the limiter, switch, amplifier, and power divider, which are suitable for sub-band frequency characteristics, are designed and applied to the matrix box. The matrix box has three submodules that are phase-matched for each frequency band and one built-in test (BIT) submodule to select the BIT path for calibration. Phase-matched RF semi-rigid cables of different lengths are used to connect to the external interface of the matrix box. The main RF line is a dielectric substrate, RT/Duroid 5880, with a relative dielectric constant of 2.2 and a dielectric thickness of 0.127 ㎜. The BIT path is a dielectric substrate, ceramic alumina (AI₂O₃), which has a relative dielectric constant of 9.8 and a dielectric thickness of 0.254 ㎜. In the wideband switching matrix box, the gain is from -1.71 ㏈ to -2.69 ㏈ at LB (input frequency, 0.5-2 ㎓), with a flatness of 1.0 ㏈. Th e gain is from +14.8 ㏈ to +12.4 ㏈ at MB (input frequency, 1-6 ㎓), with a flatness of 2.4 ㏈. The gain is from +12.6 ㏈ to +9.4 ㏈ at HB (input frequency, 6-18 ㎓), with a flatness of 3.2 ㏈. The measured values of the noise figure are 2.69 ㏈ at low band, 4.4 ㏈ at medium band, and 5.95 ㏈ at high band with a maximum value. The measured value of phase matching at high band is 7º with a maximum value.
#Chip-and-Wire #ESM System #Front End #Low-Noise Receiver #Noise Figure #Wideband Switching

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. WIDEBAND SWITCHING MATRIX STRUCTURE
III. DESIGN AND SIMULATION
IV. FABRICATION AND MEASUREMENT
V. CONCLUSION
REFERENCES

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