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논문 기본 정보

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저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of The Korea Electromagnetic Engineering Society Vol.9 No.1
발행연도
2009.3
수록면
25 - 31 (7page)

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This paper describes CMOS VCO circuit design procedures and techniques for multi-band/multi-standard RF transceivers. The proposed techniques enable a 4 ㎓ CMOS VCO to satisfy all requirements for Quad-band GSM/EDGE and WCDMA standards by achieving a good trade-off among important specifications, phase noise, power consumption, modulation performance, and chip area efficiency. To meet the very stringent GSM T/Rx phase noise and wide frequency range specifications, the VCO utilizes bond-wire inductors with high-quality factor, an 8-bit coarse tune capbank for low VCO gain(30~50 ㎒/V) and an on-chip 2nd harmonic noise filter. The proposed VCO is implemented in 0.13 ㎛ CMOS technology. The measured tuning range is about 34 %(3.17 to 4.49 ㎓). The VCO exhibits a phase noise of -123 ㏈c/㎐ at 400 ㎑ offset and -145 dBc/㎐ at 3 ㎒ offset from a 900 ㎒ carrier after LO chain. The calculated figure of merit(FOM) is -183.5 ㏈c/㎐ at 3 ㎒ offset. This fully integrated VCO occupies 0.45×0.9 ㎟.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. VCO Design Procedures
Ⅲ. Measurement Results
Ⅳ. Conclusions
References

참고문헌 (14)

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