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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Jeong-Yeon Kim (한국생산기술연구원) Chang-Wan Kim
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of The Korea Electromagnetic Engineering Society Vol.8 No.3
발행연도
2008.9
수록면
96 - 99 (4page)

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This paper describes a 0.13-㎛ CMOS RF switch for 3~5 ㎓ UWB band(mode 1). It can improve isolation characteristics between ports by using deep n-well RF devices while their source and body terminals are separated. From the measurement results, the proposed T/R switch is comparative to the on-wafer probing measurement results of the series-shunt T/R switches. When the proposed T/R switch operates as Tx mode, measured insertion loss from Tx to output port is less than 1.5 ㏈ and isolation between Tx and Rx is more than 27 ㏈ for 3~5 ㎓. Return loss for the Tx port is more than ?10 ㏈ and input P1dB is +10 ㏈m.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Switch Implementation
Ⅲ. Measurement Results
Ⅳ. Conclusion
References

참고문헌 (11)

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