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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Manish Verma (National Institute of Technology) Ashutosh Nandi (National Institute of Technology)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제21권 제4호
발행연도
2020.1
수록면
427 - 435 (9page)

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In this work, AlGaN/GaN based DG MOSHEMT is designed at 0.8 μm gate length with Al 2 O 3 gate dielectric. The key device performance parameter such as g m , A V , f T , and f max has been investigated using 2D Mixed-Mode Sentaurus TCAD device simulation. The use of the double heterostructure helps to achieve higher on-current. We observe a double hump type feature in transconductance which is attributed to occurrence of the double 2-DEG, resulting in better device linearity. Further, the double gate structure is responsible for nearly ideal subthreshold slope (~ 59.94 mV/dec) and higher I on /I off ratio (> 10 16 ). Moreover, the device off ers comparable cut-off frequency (19.25 GHz) and maximum-oscillation frequency (66.95 GHz) to the existing Al 2 O 3 /AlGaN/GaN based SG MOSHEMT alongwith tremendous improvement in terms of intrinsic gain (~ 76 dB). Furthermore, enhancement of the device performance ( f T = 122.44 GHz and f max = 163.07 GHz) is achieved by scaling down the gate length from 0.8 μm to 100 nm. These results indicate that Al 2 O 3 /AlGaN/GaN based DG MOSHEMT can be possible alternative for millimeter and microwave frequency applications.
#AlGaN/GaN heterostructure #MUG #Cut-off frequency #Maximum oscillation frequency #Double gate

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S.M. Sze / 2001 / Semiconductor Devices: Physics and Technology / Wiley google schola J. Singh / 2008 / Semiconductor Device Physics and Design / Springer google schola J. Lutz / 2018 / Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability / Springer google schola R. Quay / 2008 / Gallium Nitride Electronics / Springer google schola A. S. Augustine Fletcher / 2017 / A survey of gallium nitrate HEMT for RF and high-power applications / Superlattices Microstruct 109:519~537 google schola

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