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한국수소및신에너지학회 한국수소및신에너지학회논문집 한국수소에너지학회지 제3권 제2호
발행연도
1992.12
수록면
35 - 43 (9page)

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Thin Film yttrium, 500nm thick, was prepared by electron beam evaportion on sapphire substrate. Film was hydrogenated at room temperature upto 1 bar hydorgen pressure without any activation process. Electrical resistivity was measured by four-point DC method in the temperature range between room temperature and 30K for various hydorgen concentration x=0 to 2.924 of YH<sub>x</sub> sample. Temperature dependent resistance of YH<sub>2.924</sub> shows low temperature minimum at 105K (36??? deep), the metal-semiconductor transition at 260K, and a hysteresis, which are similar behavior to bulk YH<sub>x</sub> (x>2) experimental results.

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