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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 587 - 590 (4page)
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In this paper, our proposed model is a neuromorphic Vector Matrix Multiplier (VMM) with high linearity based on charge-trap (CT) synaptic device. Depending on the amount of charge stored in the floating gate(FG) and the drain voltage, the drain current of the CT-based VMM cell shows non-linearity which is a significant problem of an analog VMM. In the proposed model, the coupling capacitor Cgdx, which is added between the gate and drain of the nMOS, reduces the non-linearity caused by the input voltage of the drain. The WL and DL drivers are kept floating during the read operation for effective coupling. As a result, the input voltage range applied to the drain, which guarantees linearity of drain current, extends from 0.5V to 0.9V.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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