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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.7
- 수록면
- 40 - 40 (1page)
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Along with the traditional charge and spin degree of freedom physical quantities, another physical quantity namely valley state has been introduced as a new degree of freedom that can be utilized for future quantum information storage devices [1]. The valleytronics (valley-dependent electronics) in van der Waals two-dimensional (2D) heterostructures is receiving extensive research efforts. Thus, we investigated the electric field-induced valley polarization in the WSe<sub>2</sub>/CrSnSe<sub>3</sub> heterostructures by varying the stacking order. The heterostructure shows indirect band gaps of 270 and 330 meV in the two most stable structures. The WSe<sub>2</sub>/CrSnSe<sub>3</sub> heterostructure displays a ferromagnetic ground state with out-of-plane anisotropy (0.02 meV) in one stable s ... 전체 초록 보기
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