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김재덕 (LIG넥스원) 정성훈 (LIG넥스원) 유승학 (유텔연구소) 조정현 (유텔연구소) 이종현 (LIG넥스원) 이왕용 (LIG넥스원) 문병호 (LIG넥스원)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제32권 제5호(통권 제288호)
발행연도
2021.5
수록면
435 - 445 (11page)

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본 논문에서는 전자전용 고출력 재밍 송신장치(전자전 재머, electronic warfare jammer)에 사용하기 위해서 개발된 S&C 대역 GaN 반도체 고출력증폭기 설계 및 측정 결과를 소개한다. S&C 대역 GaN 반도체 전력증폭기는 광대역 아이솔레이터 없이 광대역 임피던스 정합 기법 및 Super CMC 캐리어조립체를 사용하는 80 W급 GaN 모듈의 다중 결합으로 제작되었고, GaN DRA와 GaN HPA 사이의 부정합(impedance mismatching) 성능을 개선하기 위해 다단의 90° Hybrid Coupler를 사용하여 소형의 광대역 정합회로를 설계하였다. 전자전용 S&C대역 GaN 반도체 전력증폭기는 2～6.5GHz의 주파수 범위의 연속파(CW) RF 주입조건에서 평균출력 225 W(최대출력 330 W), PAE 21.39 % 성능을 입증하였다. 또한 동작 주파수 범위의 1 % duty & 10 μs PW Pulsed RF 주입조건에서 평균출력 287 W(최대출력 404 W)의 성능을 확인하였다.
#GaN #SSPA #Wide-Band #S to C Band #Electronic Warfare

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. S&C대역 반도체 고출력증폭기 설계 및 제작
Ⅲ. S&C 대역 반도체 고출력증폭기 시험 결과
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
S. W. Dong / 2012 / High power and efficiency power combining with multi-way TWTAs for satellite communications / IEEE/MTT-S International Microwave Symposium Digest :1~3 google schola E. Mitani / 2007 / An 800-W AlGaN/GaN HEMT for S-band high-power application / CS MANTECH Conference :213~216 google schola R. S. Pengelly / 2012 / A review of GaN on SiC high electron-mobility power transistors and MMICs / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 60(6):1764~1783 google schola 김재덕 / 2020 / GaN HEMT를 이용한 광대역 80 W급 반도체 전력증폭기 설계 / 한국전자파학회 논문지 31(9):770~779 dbpia 정진철 / 2016 / AlGaN/GaN Based Ultra-wideband 15-W High-Power Amplifier with Improved Return Loss / ETRI Journal 38(5):972~980 Crossref

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