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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.4
- 수록면
- 212 - 212 (1page)
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절연게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated-gate bipolar transistors)는 AC/DC 모터, 주파수 변환기, 무정전 전원장치 등에 설치하여 스위칭 기능을 통해 직류 입력전압을 원하는 크기 및 주파수의 교류 출력으로 변환하는 역할을 수행한다. 빠른 스위칭 속도와 전력손실이 적은 MOSFET과 구동 전류 용량이 큰 BJT의 장점을 조합한 것으로 MOSFET의Gate를 입력으로 하고, BJT의 Collector, Emitter를 출력으로 하는 특징을 가진다. 본 논문에서는 고장모드 영향분석(FMEA - Failure Mode Effect Analysis)를 통하여 절연게이트양극성 트랜지스터의 특성을 도출하여 합리적인 평가 방법에 대해 고찰하고자 한다.
IGBT의 고장모드로 단락(Short)와 개방(Open)이 있다. 물리적 또는 전기적 충격에 의해 트랜지스터 역병렬 다이오드의 출력단자가 단락 또는 개방되면 목표로 하는 제어동작을 수행할 수 없어 기기의 안전기능에 영향을 미칠 수 있다. 위 고장모드를 검증하기 위해 스위칭 시간(Turn on, off times)을 시험해야 한다. 또한, 소자의 반복적인 동작이나 전기적 스트레스로 인해 열화되면 규정된 입력전압에서 오동작이 발생하여 원하는 역할을 수행할 수 없다. 이 때문에 Collector-emitter saturation voltage (V<sub>CEsat</sub>), Gate-emitter threshold voltage(V<sub>GE(th)</sub>)와 Collector cut-off current(I<sub>CES</sub>)에 대한 검증이 필요하다. 이 외에도 시험자의 판단에 따라 IEC 60747-9 ... 전체 초록 보기
IGBT의 고장모드로 단락(Short)와 개방(Open)이 있다. 물리적 또는 전기적 충격에 의해 트랜지스터 역병렬 다이오드의 출력단자가 단락 또는 개방되면 목표로 하는 제어동작을 수행할 수 없어 기기의 안전기능에 영향을 미칠 수 있다. 위 고장모드를 검증하기 위해 스위칭 시간(Turn on, off times)을 시험해야 한다. 또한, 소자의 반복적인 동작이나 전기적 스트레스로 인해 열화되면 규정된 입력전압에서 오동작이 발생하여 원하는 역할을 수행할 수 없다. 이 때문에 Collector-emitter saturation voltage (V<sub>CEsat</sub>), Gate-emitter threshold voltage(V<sub>GE(th)</sub>)와 Collector cut-off current(I<sub>CES</sub>)에 대한 검증이 필요하다. 이 외에도 시험자의 판단에 따라 IEC 60747-9 ... 전체 초록 보기
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