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이 논문의 연구 히스토리 (4)
2020
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A SiOxCy(-H) thin film was synthesized by atmospheric pressure dielectric barrier discharge(APDBD), and a SiO₂-like layer was formed on the surface of the film by oxidation treatment using oxygen plasma. Hexamethylcyclotrisiloxane was used as a precursor for the SiOxCy(-H) synthesis, and He gas was used for stabilizing APDBD. Oxygen permeability was evaluated by forming an oxidized SiOxCy(-H) thin film on a PET film. When the single-layer oxidized SiOxCy(-H) film was coated on the PET, the oxygen gas permeability decreased by 46% compared with bare PET. In case of three-layer oxidized SiOxCy(-H) film, the oxygen gas permeability decreased by 73%. The oxygen permeability was affected by the thickness of the SiO₂-like layer formed by oxidation treatment rather than the thickness of the SiOxCy(-H) film. The excellent corrosion resistance was demonstrated by coating an oxidized SiOxCy(-H) thin film on the silver-coated aluminum PCB for light emitting diode (LED).
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
A. S. da Silva Sobrinho, N. Schuehler, J. E. Klemberg-Sapieha, and M. R. Wertheimer, et al., Plasma-deposited silicon oxide and silicon nitride films on poly (ethylene terephthalate): a multitechnique study of the interphase regions, J. Vac. Sci. Technol. A16 (1998) 2021-2030.
M. Bose, D. N. Bose, D. K. Basa, Plasma enhanced growth, composition and refractive index ofsilicon oxynitride films, Mater. Lett., 52 (2002) 417- 422.
A. N. R. da Silva, N. I. Morimoto, O. Bonnaud, Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature, Microelectron. Reliab. 40 (2000) 621-624.
D. S. Wuu, W. C. Lo, L. S. Chang, R. H. Horng, Properties of SiO2-like barrier layers on polyethersulfone substrates by low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition, Thin Solid Films 468 (2004) 105-108.
R. Foest, F. Adler, F. Sigeneger, M. Schmidt, Study of an atmospheric pressure glow discharge (APG) for thin film deposition, Surf. Coat. Technol. 163-164 (2003) 323-330.
M. Bose, D. N. Bose, D. K. Basa, Plasma enhanced growth, composition and refractive index ofsilicon oxynitride films, Mater. Lett., 52 (2002) 417- 422.
A. N. R. da Silva, N. I. Morimoto, O. Bonnaud, Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature, Microelectron. Reliab. 40 (2000) 621-624.
D. S. Wuu, W. C. Lo, L. S. Chang, R. H. Horng, Properties of SiO2-like barrier layers on polyethersulfone substrates by low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition, Thin Solid Films 468 (2004) 105-108.
R. Foest, F. Adler, F. Sigeneger, M. Schmidt, Study of an atmospheric pressure glow discharge (APG) for thin film deposition, Surf. Coat. Technol. 163-164 (2003) 323-330.
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