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김호진 (성균관대 신소재공학과 & 원자력연구소) 주진호 (성균관대 신소재공학과) 최준규 (한국원자력연구소 원자력재료기술개발부) 전병혁 (한국원자력연구소 원자력재료기술개발부) 김찬중 (한국원자력연구소 원자력재료기술개발부)
저널정보
한국초전도저온학회 한국초전도·저온공학회논문지 한국초전도·저온공학회논문지 제6권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
6 - 11 (6page)

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YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ (YBCO) films were deposited on MgO(100) and SrTiO$_3$(100) single crystal substrates by cold-wall type MOCVD method using continuous source supplying system. Under the deposition temperature of 740∼76$0^{\circ}C$, c-axis oriented YBCO films were obtained. In case of the YBCO films deposited on MgO (100) single crystal substrate, the critical temperature (T$_{c}$) was under 81 K regardless of the deposition conditions, whereas T$_{c}$ of the YBCO films deposited on SrTiO$_3$(100) single crystal substrate was 83∼84 K. The critical current (I$_{c}$) of the YBCO film deposited on SrTiO$_3$(100) single crystal substrate for 30 min was 49 A/cm-width and the critical current density (J$_{c}$) was 0.82 MA/$\textrm{cm}^2$ to film thickness of 0.6 ${\mu}{\textrm}{m}$. I$_{c}$ increased to 84.4 A/cm-width as the deposition time increased to 50 min, but J$_{c}$ decreased to 0.53 MA/$\textrm{cm}^2$ to film thickness of 1.8 ${\mu}{\textrm}{m}$.rm}{m}$.

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