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학술저널
저자정보
오준석 (한국과학기술원 신소재공학과) 이승렬 (한국과학기술원 신소재공학과) 이진호 (한국전자통신연구원) 안병태 (한국과학기술원 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제2호
발행연도
2007.1
수록면
115 - 120 (6page)

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Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) might be fabricated on the mica substrate and transferred to a flexible plastic substrate because mica can be easily cleaved into a thin layer. To overcome the adhesion and stress problem between poly-Si film and mica substrate, a buffer layer consisting of $SiO_x/Ta/Ti$ three layers has been developed. The $SiO_x$ layer is for electrical isolation, the Ti layer is for adhesion of $SiO_{x}$ and mica. and Ta is for stress relief between $SiO_x$ and Ti. A TFT was fabricated on the mica substrate by a conventional Si process and was successfully transferred to a plastic substrate.
#Flexible substrate #mica #layer transfer #buffer layer #poly-Si #TFTs

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