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자료유형
학술저널
저자정보
이재범 (한밭대학교 신소재공학부) 김선태 (한밭대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
1 - 5 (5page)

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GaN thin fan were grown by spin coated colloidal GaOOH precursor. Polycrystalline GaNs with crystalline size of $10{\sim}100nm$ were grown on $SiO_2$ substrate. The shape of crystallite above $900^{\circ}C$ had the hexagonal plate and column type. X-ray diffraction patterns for them correspond to those of the hexagonal wurtzite GaN. With increasing droplets. i.e, thickness of deposited layers, XRD intensity increased. PL (photoluminescence) spectrum consisted with an weak near band-edge emission at 3.45 eV and a broad donor-acceptor emission band at 3.32 eV. From the low temperature PL measurement on GaN grown at $800^{\circ}C$ that the shallow donor-acceptor recombination induced emission was more intense than the near band-edge excitonic emission.
#GaN #GaOOH #precursor #spin coating

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