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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
홍광준 (조선대학교 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제15권 제5호
발행연도
2005.1
수록면
293 - 300 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2005

ZnO 박막 성장과 광학적 특성 분석을위한 펄스 레이저 증착(PLD)방법 적용
홍광준 ,  김재열 한국생산제조학회지 2005.04 학술저널
펄스 레이저 증착법에 의한 ZnO:Li 박막 성장과 열처리 효과
홍광준 한국재료학회지 2005.01 학술저널
펄스 레이저 증착(PLD)법에 의한 ZnO 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준 센서학회지 2005.01 학술저널

2004

펄스 레이저 증착(PLD)법에 의한 ZnO 박막 성장과 광학적 특성
홍광준 ,  김재열 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2004.10 학술대회자료
펄스 레이저 증착(PLD)법에 의한 ZnO 박막 성장과 열처리 효과
홍광준 전기전자재료학회논문지 2004.01 학술저널

초록· 키워드

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ZnO:Li epilayers were synthesized on sapphire substrates by the pulesd laser deposition (PLD) after the surface of the ZnO:Li sintered pellet was irradiated by the ArF (193 nm) excimer laser. The growth temperature was fixed at $400^{\circ}C$. The crystalline structure of epilayers was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of epilayers measured by van der Pauw-Hall method are $2.69\times10cm^{-3}$ and $52.137cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of epilayers obtained from the absorption spectra is well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.5128eV{\cdot}(9.51\times10^{-4}eV/K)T^2/(T+280K)$. After the as-grown ZnO:Li epilayer was annealed in Zn atmospheres, oxygen and vaccum the origin of point defects of ZnO:Li has been investigated by PL at 10 K. The Peaks of native defects of $V_{zn},\;V_o,\;Zn_{int},\;and\;O_{int}$ showned on PL spectrum are classified as a donors or accepters type. We confirm that $ZnO:Li/Al_2O_3$ in vacuum do not form the native defects because ZnO:Li epilayers in vacuum existe in the form of stable bonds.
#ZnO:Li epilayers #pulesd laser deposition #annealing #Hall effect point defect #photoluminescence

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