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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김상모 (경원대학교 전기공학과) 장경욱 (경원대학교 전기공학과) 이원재 (경원대학교 전자공학과) 김경환 (경원대학교 전기공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
11 - 15 (5page)

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As preparing electrode for the OLED with the sputtering process, in order to be lower damage of the bottom organic layer and increase the life-time of the OLED, we prepared Al electrode for that by using Facing Targets Sputtering (FTS) system. Al electrode directly deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode). Deposition condition was the working gas (Ar, Kr and Ar+Kr) and working gas pressure (1 and 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were evaluated by a $\acute{a}$-step profiler and a semiconductor parameter (HP4156A) measurement. The thin film surface image was observed by a Atomic Force Microscope (AFM). In result, in comparison with about 11 [V] of the turn-on voltage of Al/cell with using the pure Ar gas, when Al thin film was deposited using the Ar-Kr mixture gas, the surface morphology was improved in some region and the turn-on voltage of Al/cell could be decreased to about 7 [V].
#OLED #FTS #Kr #I-V curve

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