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이수환 (한양대학교 나노SOI 공정연구실) 김달호 (한양대학교 나노SOI 공정연구실) 양희두 (한양대학교 나노SOI 공정연구실) 김지헌 (한양대학교 나노SOI 공정연구실) 이곤섭 (한양대학교 나노SOI 공정연구실) 박재근 (한양대학교 전자통신 컴퓨터 공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제7권 제1호
발행연도
2008.1
수록면
47 - 51 (5page)

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The Al:Au double-layer metal electrode for use in transparent, dual emission of organic light-emitting diode (OLED) was fabricated. The electrode of Al:Au metals with various thicknesses was deposited by the vacuum thermal evaporation technique. For Al thickness of 1 nm, a bottom luminance of $4880\;cd/m^2$ was observed at 8 V. Otherwise, top luminance of $2020\;cd/m^2$ were observed at 8 V. In addition, the threshold voltages of the electrodes were 2.2 V. It was forward that the inserting 1 nm Al between LiF and Au enhanced electron injection with tunneling effect.

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