Properties and Peculiar Features of Application of Isoelectronically Doped $A^2B^6$ Compound-Based Scintillators

Ryzhikov, V.; Starzhinskiy, N.

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ryzhikov, V. (Institute for Scintillation Materials, STC Institute for Single Crystals, National Academy of Science) Starzhinskiy, N. (Institute for Scintillation Materials, STC Institute for Single Crystals, National Academy of Science)

저널정보: 대한방사선방어학회 방사선방어학회지 방사선방어학회지 제30권 제2호

발행연도: 2005.1

수록면: 77 - 84 (8page)

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The authors submit the data concerning the methods of obtaining semiconductor scintillators on the basis of the zinc chalcogenide crystal doped with impurities (Te, Cd, O, $Me^{III}-metals$ Al, In, etc.). Characteristics of such crystals and mechanisms for the semiconductor scintillator luminescence are described as well. The scintillator luminescence spectra maximums are located within the range 450-640nm, which depends on the method of preparing the scintillator. The luminescence decay time ranges within $0.5-10{\mu}s\;and\;30-150{\mu}s$. The afterglow level is less than 0.01% after $10-20{\mu}s$, and the radiation stability is ${\geq}5{\cdot}10^8$ rad. Thermostability of the output characteristics of new semiconductor scintillators on the basis of zinc selenide is prescribed by thermodynamic stability of the principal associative radiative recombination centers that come into existence due to the crystal lattice inherent imperfections. Certain application fields of the new scintillators are examined taking into account their particular qualities.

#$A^2B^6$ compounds #semiconductor sintillator #luminescene properties #radiation detectors

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Ryzhikov, V.

소속기관 Institute for Scintillation Materials, STC Institute for Single Crystals, National Academy of Scienc

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 원자력공학

논문수 1 이용수 0

Starzhinskiy, N.

소속기관 Institute for Scintillation Materials, STC Institute for Single Crystals, National Academy of Scienc

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 원자력공학

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