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자료유형
학술저널
저자정보
Ahn, Jin-Ho (Department of Materials Science and Engineering Hanyang University) Shin, Hyun-Duck (Department of Materials Science and Engineering Hanyang University) Jeong, Chang-Young (Department of Materials Science and Engineering Hanyang University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제9권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
13 - 18 (6page)

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Extreme ultraviolet (EUV) lithography using 13.5 nm wavelengths is expected to be adopted as a mass production technology for 32 nm half pitch and below. One of the new issues introduced by EUV lithography is the shadowing effect. Mask shadowing is a unique phenomenon caused by using mirror-based mask with an oblique incident angle of light. This results in a horizontal-vertical (H-V) biasing effect and ellipticity in the contact hole pattern. To minimize the shadowing effect, a refilled mask is an available option. The concept of refilled mask structure can be implemented by partial etching into the multilayer and then refilling the trench with an absorber material. The simulations were carried out to confirm the possibility of application of refilled mask in 32 nm line-and-space pattern under the condition of preproduction tool. The effect of sidewall angle in refilled mask is evaluated on image contrast and critical dimension (CD) on the wafer. We also simulated the effect of refilled absorber thickness on aerial image, H-V CD bias, and overlapping process window. Finally, we concluded that the refilled absorber thickness for minimizing shadowing effect should be thinner than etched depth.
#EUV #Mask shadowing #refilled mask structure #H-V CD bias

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B. LaFontaine / 2007 / Extreme ultraviolet lithography: From research to manufacturing / J. Vac. Sci. Technol B25:2089~2093 google schola G. F. Lorusso / 2007 / Extreme ultraviolet lithography at IMEC: Shadowing compensation and flare mitigation strategy / J. Vac. Sci. Technol B25:2127~2131 google schola M. Sugawara / 2002 / Pattern Printability for Off-axis Incident Light in EUV Lithography / Proc. SPIE 4688:277~288 google schola M. Besacier / 2004 / Shadowing effect minimization in EUV mask by modeling / Proc. SPIE 5446:849~859 google schola P.-Y. Yan / 2002 / The Impact of EUVL Mask Buffer and Absorber Material Properties on Mask Quality and Performance / Proc. SPIE 4688:150~160 google schola

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