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논문 기본 정보

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학술저널
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정재웅 (대진대) 김현빈 (대진대) 김종수 (대진대) 김남준 (대진대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제22권 제4호
발행연도
2017.8
수록면
297 - 304 (8page)

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The purpose of this paper is to analyze losses because of switching devices and the secondary side circuit diodes of 500 W full bridge dc-dc converter by applying gallium nitride (GaN) field-effect transistor (FET), which is one of the wide band gap devices. For the detailed device analysis, we translate the specific resistance relation caused by the GaN FET material property into algebraic expression, and investigate the influence of the GaN FET structure and characteristic on efficiency and system specifications. In addition, we mathematically compare the diode rectifier circuit loss, which is a full bridge dc-dc converter secondary side circuit, with the synchronous rectifier circuit loss using silicon metal-oxide semiconductor (Si MOSFET) or GaN FET, which produce the full bridge dc-dc converter analytical value validity t o derive the final efficiency and loss. We also design the heat sink based on the mathematically derived loss value, and suggest the heat sink size by purpose and the heat divergence degree through simulation.

목차

Abstract
1. 서론
2. GaN FET 물성적 특성
3. SBD vs 스위칭 소자별 손실분석
4. 분석결과 및 실험결과
5. 결론
References

참고문헌 (20)

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