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저자정보
조준영 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) 김대희 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) 김유리 (포항공과대학교 창의IT 융합공학과) 김기영 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) 김영철 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제4호
발행연도
2018.1
수록면
1 - 5 (5page)

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Atomic force microscopy (AFM) simulation for Si (001) surface defects was conducted by using density functional theory (DFT). Three major defects on the Si (001) surface are difficult to analyze due to external noises that are always present in the images obtained by AFM. Noise-free surface defects obtained by simulation can help identify the real surface defects on AFM images. The surface defects were first optimized by using a DFT code. The AFM tip was designed by using five carbon atoms and positioned on the surface to calculate the system's energy. Forces between tip and surface were calculated from the energy data and converted into an AFM image. The simulated AFM images are noise-free and, therefore, can help evaluate the real surface defects present on the measured AFM images.
#Atomic Force Microscopy #AFM) #Density Functional Theory #DFT) #Silicon Surface Defects #Computer Simulation

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