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양희훈 (충남대학교 전자공학과) 성재영 (충남대학교 전자공학과) 이휘연 (충남대학교 전자공학과) 정준교 (충남대학교 전자공학과) 이가원 (충남대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제18권 제2호
발행연도
2019.1
수록면
82 - 86 (5page)

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The reliability of 3D NAND flash memory cell is affected by the charge migration which can be divided into the vertical migration and the lateral migration. To clarify the difference of two migrations, the activation energy of the charge loss is extracted and compared in a conventional square device pattern and a new test pattern where the perimeter of the gate is exaggerated but the area is same. The charge loss is larger in the suggested test pattern and the activation energy is extracted to be 0.058 eV while the activation energy is 0.28 eV in the square pattern.

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