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저자정보
김우재 (광운대학교 전자바이오물리학과) 이환희 (광운대학교 전자바이오물리학과) 권희태 (광운대학교 전자바이오물리학과) 신기원 (광운대학교 전자바이오물리학과) 양창실 (와이아이테크[주]) 권기청 (광운대학교 전자바이오물리학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제4호
발행연도
2017.1
수록면
20 - 24 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2018

대기압 플라즈마를 이용한 n-type 실리콘 웨이퍼 불순물 도핑 공정 연구
김우재 ,  이태현 ,  이환희 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.08 학술대회자료
대기압 플라즈마를 이용한 n-type 실리콘 태양전지 불순물 확산 공정 연구
김우재 ,  이환희 ,  신기원 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.02 학술대회자료

2017

대기압 RF 플라즈마를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 표면 조직화 공정 연구
김우재 ,  이환희 ,  권희태 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2017.08 학술대회자료
결정질 태양전지 공정을 위한 대기압 플라즈마 불순물 확산 공정 연구
김우재 전자바이오물리 2017.01 학위논문
p-n 접합 형성을 위한 반도체 실리콘 웨이퍼 대기압 플라즈마 붕소 확산 가능성 연구
김우재 ,  이환희 ,  권희태 외 3명 반도체디스플레이기술학회지 2017.01 학술저널

초록· 키워드

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Currently, techniques mainly used in semiconductor impurity diffusion processes include furnace thermal diffusion, ion implantation, and vacuum plasma doping. However, there is a disadvantage that the process equipment and the unit cost are expensive. In this study, boron diffusion process using relatively inexpensive atmospheric plasma was conducted to solve this problem. With controlling parameters of Boron diffusion process, the doping characteristics were analyzed by using secondary ion mass spectrometry. As a result, the influence of each variable in the doping process was analyzed and the feasibility of atmospheric plasma doping was confirmed.
#Atmospheric Pressure Plasma #Doping Process #Silicon Wafer

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2016 / Technology Roadmap for SME 2017-2019 / Small and Medium Business Administration google schola Sah, Chih-Tang / 1957 / Carrier Generation and Recombination in Pn Junctions and Pn Junction Characteristics / Proceedings of the IRE 45(9):1228~1243 google schola Jones, Scotten W. / 2008 / Diffusion in Silicon / IC Knowledge LLC google schola Kadhim, MAH / 1980 / On Solid‐State Diffusion from a Limited Source / physica status solidi (a) 58(1):303~310 google schola Mayer, James Walter / 1970 / Ion Implantation in Semiconductors / Acad. Press google schola

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