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이예능 (한국에너지기술연구원 에너지융합소재연구단) 장보윤 (한국에너지기술연구원 에너지융합소재연구단) 이진석 (한국에너지기술연구원 에너지융합소재연구단) 김준수 (한국에너지기술연구원 에너지융합소재연구단) 안영수 (한국에너지기술연구원 에너지융합소재연구단) 윤우영 (고려대학교 신소재공학부)
저널정보
한국주조공학회 한국주조공학회지 (주조) 한국주조공학회지 제33권 제2호
발행연도
2013.1
수록면
69 - 74 (6page)

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Silicon (Si) wafer was grown by using direct growth from Si melt and contaminations of wafer during the process were investigated. In our process, BN was coated inside of all graphite parts including crucible in system to prevent carbon contamination. In addition, coated BN layer enhance the wettability, which ensures the favorable shape of grown wafer by proper flow of Si melt in casting mold. As a result, polycrystalline silicon wafer with dimension of $156{\times}156$ mm and thickness of $300{\pm}20$ um was successively obtained. There were, however, severe contaminations such as BN and SiC on surface of the as-grown wafer. While BN powders were easily removed by brushing surface, SiC could not be eliminated. As a result of BN analysis, C source for SiC was from binder contained in BN slurry. Therefore, to eliminate those C sources, additional flushing process was carried out before Si was melted. By adding 3-times flushing processes, SiC was not detected on the surface of as-grown Si wafer. Polycrystalline Si wafer directly grown from Si melt in this study can be applied for the cost-effective Si solar cells.

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