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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제3호
발행연도
2011.1
수록면
240 - 244 (5page)

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SOD(Spin on Doping) 확산 공정은 낮은 가격과 높은 효율을 위한 태양전지의 대량생산에서 잠재적으로 상당한 주목을 받고 있다. 이 논문에서는 리본 실리콘 태양전지의 공정 변수와 전기적인 특성을 연구하였다. 먼저 리본 실리콘 웨이퍼의 화학적, 전기적인 특성을 분석하였다. 인(P509)를 n-type 도핑 물질로 사용하였다. N2₂+ O₂ 분위기에서 확산 온도가 850℃, 확산 시간이 10분일 때 54 ohm/□의 면 저항 값을 얻었다. SiNx 박막은 RF power가 200 W, 공정 압력이 230 mtorr, 기판온도 300℃ 일 때 굴절률 값이 1.95였다. 최적화된 셀 공정을 저가 EFG 리본 실리콘 웨이퍼에 적용하고 14.1%의 효율을 얻었다.
#EFG ribbon silicon wafer #Spin on doping #Solar cell

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