분위기에 따른 실리콘 태양전지 후면 전극 및 후면 전계의 형상과 특성 분석

박성은; 김영도; 박효민; 강윤묵; 이해석; 김동환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박성은 (고려대학교 신소재공학과) 김영도 (고려대학교 신소재공학과) 박효민 (고려대학교 신소재공학과) 강윤묵 (고려대학교 그린스쿨대학원 에너지환경정책기술학과) 이해석 (고려대학교 신소재공학과) 김동환 (고려대학교 신소재공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제25권 제7호

발행연도: 2015.1

수록면: 336 - 340 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

분위기에 따른 실리콘 태양전지 후면 전극 및 후면 전계의 형상과 특성 분석

박성은 , 김영도 , 박효민 외 3명 한국재료학회지 2015.01 학술저널

2010

실리콘 태양전지 후면 전계 형성 메카니즘 연구

박성은 , 송주용 , 최철종 외 7명 한국재료학회 학술발표대회 2010.01 학술대회자료

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For rear metallization with Al paste, Al back contacts require good passivation, high reflectance, and a processing temperature window compatible with the front metal. In this paper, the effect of the firing ambient during the metallization process on the formation of Al rear metal was investigated. We chose three different gases as ambient gases during the firing process. Using SEM, we observed the formation of a back surface field in $N_2$, $O_2$, and Air ambients. To determine the effect of the ambient on Voc, the suns-Voc tool was used. In this study, we described the mechanism of burn-out of organic materials in Al paste during the firing process. The oxygen ambient plays an important role in the burn-out process. We calculated the efficiency with obtained the back surface recombination velocities using PC1D simulation. It was found that the presence of oxygen during the firing process influenced the uniform back surface field because the organic materials in the Al paste were efficiently burned out during heating. The optimized temperature with oxygen flow shows an absolute efficiency of 19.1% at PC1D simulation.

#crystalline silicon solar cells #Al rear metallization #Back surface field #Firing process #Back surface recombination velocity

참고문헌 (10)

참고문헌 신청

K. Kim / 2006 / Thin Solid Films 511:228

S. Noel / Highest efficiency rapid thermal processed multicrystalline silicon solar cells

J. W. Jeong / 2001 / IEEE transactions on electron devices 48(12):2836

S. Narasimha / 1999 / IEEE transactions on electron devices 46(7):1363

S. Park / 2014 / Prog. photovoltaics 22(8):863

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