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한국산학기술학회 한국산학기술학회 학술대회논문집 한국산학기술학회 2006년도 춘계학술발표대회 논문집
발행연도
2006.5
수록면
335 - 338 (4page)

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전자수송층과 음극 사이에 Al₂O₃를 넣은 이중구조 음극을 갖는 유기발광다이오드를 제작하였다. 제작한 디바이스의 구조는 ITO/NPB(40 nm)/Alq₃(60 nm)/Al₂O₃(0-1.5 nm)/Al(120 nm)로Al₂O₃의 두께를 변화시켰다. Al₂O₃의 두께가 0.3 nm일 때는 터널링에 의해서 전자주입이 증가하여 전류와 휘도가 모두 좋아졌다. 반면에 Al₂O₃의 두께가 0.5 nm일 때는 전류는 감소하지만 정공과 전자의 비율이 더 좋아져서 전류효율이 크게 향상되었다. 또한 Al₂O₃는 엑시톤이 음극과의 계면에서 발광하지 않고 소멸하는 것을 막아주어서 휘도를 증가시켰다.

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