Electrical Characteristics of Bottom-Contact Organic Thin-Film-Transistors Inserting Adhesion Layer Fabricated by Vapor Deposition Polymerization and Ti Adhesion Metal Layer

Park, Il-Houng; Hyung, Gun-Woo; Choi, Hak-Bum; Kim, Young-Kwan

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Park, Il-Houng (Dept. of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices) Hyung, Gun-Woo (Center for Organic Materials and Information Devices, Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik University) Choi, Hak-Bum (Dept. of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices) Kim, Young-Kwan (Dept. of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호

발행연도: 2007.1

수록면: 958 - 961 (4page)

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The electrical characteristics of organic thin-filmtransistor (OTFTs) can be improved by inserting adhesion layer on gate dielectrics. Adhesion layer was used as polymeric adhesion layer deposited on inorganic gate insulators such as silicon dioxide $(SiO_2)$ and it was formed by vapor deposition polymerization (VDP) instead of spin-coating process. The OTFTs obtained the on/off ratio $of{\sim}10^4$, threshold voltage of 1.8V, subthreshold slop of 2.9 V/decade and field effect mobility about $0.01\;cm^2/Vs$.

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