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저자정보
Kwon, Do-Sung (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) Song, Jun-Ho (Department of Physics, Inha University) Lee, Hyun-Koo (School of Electrical Engineering and Compute r Sciences, Seoul National University) Shin, You-Chul (School of Electrical Engineering and Compute r Sciences, Seoul National University) Lee, Chang-Hee (School of Electrical Engineering and Compute r Sciences, Seoul National University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,401 - 1,403 (3page)

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We present that the carrier balance can be improved by doping a hole transport layer of 4,4'- bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl (${\alpha}$-NPD) with a hole blocking material of 2,9-dimethyl- 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP). The doping leads to disturb hole transport, which can enhance the balance of electron s and holes concentration in the emitting layer, aluminum tris(8 -hydroxyquinoline) (Alq3), resulting in enhanced electroluminescence (EL) quantum efficiency for the device with the doped ${\alpha}$-NPD.

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