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학술대회자료
저자정보
Park, K.M. (School of Electrical Engineering and computer science, Seoul National University) Lee, C.H. (School of Electrical Engineering and computer science, Seoul National University) Hwang, D.H. (Department of Applied Chemistry, Kumoh National Institute of Technology)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,413 - 1,415 (3page)

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The OTFT performance depends strongly on the interfacial properties between an organic semiconductor and ${\alpha}$ metal electrode. The contact resistance is critical to the current flow in the device. The contact resistance arises mainly from the Schottky barrier formation due to the work function difference between the semiconductor and electrodes. We doped pentacene/source-drain interfaces with $F_4TCNQ$ (2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane), resulting in p-doped region at the SD contacts, in order to solve this problem. We found that the mobility increased and the threshold voltage decreased.

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