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저자정보
Lee, Cheon-An (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Jang, Kyoung-Chul (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kim, Sung-Won (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Ryoo, Ki-Hyun (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Jin, Sung-Hun (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Shin, Hyung-Cheol (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,317 - 1,319 (3page)

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Bottom contact pentacene organic thin-film transistors are fabricated at three different substrate temperatures, $70^{\circ}C$, $80^{\circ}C$ and $90^{\circ}C$. The maximum effective mobility was obtained at $80^{\circ}C$. The contact resistance was extracted by applying two different methods, TLM method and channel-resistance method, and the value shows the minimum at $80^{\circ}C$, which is thought to be the important reason for the best performance.

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