Improving performance of deep-blue OLED by inserting ultra-thin LiF between hole-blocking and electron-transporting layers

Sun, J.X.; Zhu, X.L.; Yu, X.M.; Wong, M.; Kwok, H.S.

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저자정보: Sun, J.X. (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology) Zhu, X.L. (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology) Yu, X.M. (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology) Wong, M. (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology) Kwok, H.S. (Dept. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display

발행연도: 2006.1

수록면: 956 - 960 (5page)

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Deep-blue organic light-emitting diodes (OLEDs) with/without ultra-thin LiF layer inserted at the interface between hole-blocking and electron-transporting layers have been fabricated and investigated. The fundamental structures of the OLEDs are ITO/m-MTDATA/NPB/BCP/LiF (with/ without)/ $Alq_3/LiF/Al.Deep$ blue light emission with CIE coordinate of (0.15, 0.11) has been achieved for all devices. Further, by inserting LiF with thickness of 1nm at the interface between BCP and $Alq_3$ layer, the luminous efficiency as well as the power efficiency is much improved compared to that without. The enhancement of electron injection due to insertion of LiF may account for this improvement.

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