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학술대회자료
저자정보
Lee, Chun-Gyoo (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Chi, Eung-Joon (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Hwang, Sung-Yeon (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Lee, Sang-Jo (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Lee, Sang-Jin (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Yoon, Tae-Ill (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Lee, Byong-Gon (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Nam, Joong-Woo (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Ryu, Mee-Ae (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Han, Ho-Su (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Jin, Sung-Hwan (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Ahn, Sang-Hyuck (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Seo, Hyoung-Cheol (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Choi, Jong-Sik (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Oh, Tae-Sik (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Kang, Sung-Kee (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Kim, Jong-Min (R&D 3 Team, Corporate R&D Center, Samsung SDI) Kim, Jung-Woo (FED Project Team, Samsung Advanced Inst. of Tech.) Park, Young-Jun (FED Project Team, Samsung Advanced Inst. of Tech.) Han, In-Taek (FED Project Team, Samsung Advanced Inst. of Tech.) Jin, Yong-Wan (FED Project Team, Samsung Ad)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
191 - 192 (2page)

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For the CNT-FED to be cost-effective, many efforts for the lower voltage operation have been made in the under-gate cathode structure. In this study, the effects of the frit proportion in the CNT paste, cathode electrode width, CNT-to-counter electrode gap, and the CNT length in the cathode structure were examined.

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