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Lee, Chun-Gyoo (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Lee, Sang-Jo (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Cho, Sung-Hee (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Chi, Eung-Joon (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Lee, Byung-Gon (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Jeon, Sang-Ho (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Ahn, Sang-Hyuck (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Hong, Su-Bong (Corporate R&D Center, Samsung SDI) Choe, Deok-Hyeon (Corporate R&D Center, Samsung SDI)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
발행연도
2004.1
수록면
851 - 854 (4page)

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By approaching the counter electrode to the CNT emitter, remarkable reduction of the cathode operating voltage has been accomplished in the under-gate CNT cathode structure. The peak emission current density of 2.5 ms/$cm^2$, which is sufficient for high brightness CNT field emission display, was obtained at the cathode-to-gate voltage of 57 V when the CNT-to-counter electrode gap was 2.2 ${\mu}m$. The gate current was less than 10 % of the anode current. The CNT cathode with low driving voltage can help the cost-effective field emission display implemented.

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