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학술저널
저자정보
문환성 (한양대학교 공과대학 금속공학과) 이재석 (한양대학교 공과대학 금속공학과) 한성욱 (한양대학교 공과대학 금속공학과) 박상균 (한양대학교 공과대학 금속공학과) 양승기 (삼성종합기술원) 이재학 (Dept. of Metallurgical Engineering, Hanyang University) 박형호 (Dept. of Metallurgical Engineering, Hanyang University) 박종완 (Dept. of Metallurgical Engineering, Hanyang University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제2권 제5호
발행연도
1992.1
수록면
353 - 359 (7page)

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열산화법과 PECVD법으로 p-type (100) Si 기판위에 T$a_2O_5$ 박막을 형성시킨 후 A1/T$a_2O_5$/p-Si capacitor를 제작하였다. 제작된 시편의 제반 물성은 XRD, AES, high frequency C-V analyzer, I-V meter, TEM 등을 사용하여 분석하였다. XRD 분석을 통해 T$a_2O_5$ 박막은 비정질임이 확인되었으며 65$0^{\circ}C$ 열처리의 경우에는 hexagonal $\delta$-T$a_2O_5$ 상으로 결정화가 일어남을 확인할 수 있었다. AES spectrum의 분석을 통해 T$a_2O_5$ 박막의 조성이 2:5의 stoichiometry에 근접해 있음이 관찰되었다. 열산화법에 의해 제작된 T$a_2O_5$는 산화온도 60$0^{\circ}C$의 조건에서 누설전류 5${ imes}10^{-6}$A/c$m^2와 유전상수 31.5로 가장 좋은 성질을 나타냈으며, PECVD로 제작한 T$a_2O_5$는 RF Power가 0.47W/c$m^2일 때 2.5${ imes}10^{-5}$A c$m^2and 24.0으로 가장 좋은 특성을 나타내었다. TEM 분석을 통해 제조된 박막과 계면을 관찰하였다.

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