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CuO-Bi$_2$O$_3$-V$_2$O$_{5}$ 삼성분계 유리 시편을 열처리 시간과 온도를 달리하여 열처리 하였을 때, 열처리된 시편의 결정화 거동 및 전기전도도 특성을 조사하였다. 여러 조성의 시편들 가운데 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%)의 조성을 가진 시편이 상온에서 가장 높은 전기 전도도를 나타내었고, 이 시편을 358$^{\circ}C$에서 8h동안 열처리하여 결정화 시켰을 때, 고체 전해질용으로서는 매우 높은 전기 전도도 값인 2.67$\times$$10^{-2}$ $\Omega$$^{-1}$ $cm^{-1}$ /를 나타내었다. 유리상의 시편을 열처리 하였을 때 열처리된 시편은 BiVO$_4$ 및 CuvVO$_3$결정의 형성과 성장이 이루어지면서 전기 전도도가 비열처리 시편에 비하여 $10^3$-$10^4$배 크기로 증가하였다.
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