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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조형균 (동아대학교 공과대학 금속공학과) 김동찬 (동아대학교 공과대학 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제9호
발행연도
2003.1
수록면
598 - 605 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

저결함 밀도를 갖는 질화물 계열 반도체 박막 성장 연구
조형균 ,  이준희 ,  박태은 한국소성가공학회 학술대회 논문집 2004.05 학술대회자료

2003

질화물 반도체의 미세구조 분석을 위한 최적의 TEM 시편 준비법
조형균 ,  김동찬 한국재료학회지 2003.01 학술저널

초록· 키워드

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The optimized conditions for the cross-sectional TEM sample preparation using tripod polisher and ion-beam miller was confirmed by AFM and TEM. For the TEM observation of interfaces including InGaN layers like InGaN/GaN MQW structures, the sample preparation by the only tripod polishing was useful due to the reduction of artifacts. On the other hand, in case of the thick nitride films like ELO, PE, and superlattice, both tripod polishing and controlled ion-beam milling were required to improve the reproducibility. As a result, the ion-beam milling with the $60^{\circ}$modulation showed the minimum height difference between film and sapphire interface and the ion-beam milling of the $80^{\circ}$modulation showed the broad observable width.
#nitride #TEM #microcstructure #defect #tripod polisher

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