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자료유형
학술저널
저자정보
최재웅 (한양대학교 신소재공학부) 홍석준 (한양대학교 신소재공학부) 이희열 (한양대학교 신소재공학부) 강성군 (한양대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
101 - 105 (5page)

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In this study, we have investigated the availability of the electroless Ni-B plating for a diffusion barrier of the bus electrode. The Ni-B layer of 1$\beta$: thick was electroless deposited on the electroplated Cu bus electrode for AC plasma display. The layer was to encapsulate Cu bus electrode to prevent from its oxidation and to serve as a diffusion barrier against Cu contamination of the transparent dielectric layer in AC plasma display. The microstructure of the as-plated barrier layer was made of an amorphous phase and the structure was converted to crystalline at about 30$0^{\circ}C$. The concentration of boron was about 5∼6 wt.% in the electroless Ni-B deposit regardless of DMAB concentration. The electroless Ni-B deposit was coated on the surface of the electroplated Cu bus electrode uniformly. And the electroless Ni-B plating was found to be an appropriate process to form the diffusion barrier.
#Plasma display #Bus electrode #Electroplating #Electroless Ni-B plating #Diffusion barrier

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