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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이권재 (숭실대학교 물리학과) 고재귀 (숭실대학교 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제12호
발행연도
2001.1
수록면
1,014 - 1,019 (6page)

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The diamond thin film was deposited on Si(100) substrate from$CH_3OH/H_2O$mixtured gas using a hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) method. The deposition condition for samples has been varried with the$CH_3OH/H_2O$composition. Scanning electron microscopy(SEM) and Raman spectroscopy has been employed for the sample analysis. The diamond sample has been obtained below 20Pa with$CH_3OH/H_2O$mixtured gas. The crystallinity of diamond film improved as the composition $CH_3OH$decreases from 60Vol% to 52Vol%, and the sample structure changed from the cauliflower to the diamond structure. But the sample structure was becomes cauliflower at 50Vol% of in$CH_3OH$ in the $CH_3OH/H_2O$. It was shown that the$CH_3OH$ has threshold composition.
#HFCVD method #diamond film #SEM #Raman spectroscopy

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