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자료유형
학술저널
저자정보
이성재 (홍익대학교 화학공학과) 임성택 (홍익대학교 화학공학과) 신동명 (홍익대학교 화학공학과) 최종선 (홍익대학교 전기전자공학과) 이후성 (서강대 화학과) 김영관 (홍익대학교 화학공학과) 손병청 (홍익대학교 화학공학과)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제17권 제3호
발행연도
2000.1
수록면
174 - 177 (4page)

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The effect of a-sexithiophene(${\alpha}-6T$) layers on the light emitting diode (LED) were studied. The ${\alpha}-6T$ was used for a buffer layer in electroluminescent (EL) devices. Enhanced carrier (hole) injection and improved emission efficiency were observed. Carrier injection characteristics were investigated as a function of ${\alpha}-6T$ later thickness. The efficiency of the electroluminescence was proportional to the thickness of ${\alpha}-6T$ layer. The highest efficiency was observed 600A of ${\alpha}-6T$ later, which was about 1.5 times higher than that of device without ${\alpha}-6T$ later. The device with a-6T showed an operation voltage lowered by 2V. The ${\alpha}-6T$ layer can substitute hole blocking layer, and control charge injection properties.

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