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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김대연 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) 강계원 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) 최병호 (금오공과대학교 신소재시스템공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제10권 제7호
발행연도
2000.1
수록면
459 - 463 (5page)

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순수한 동적 결합반응이고 전하 누적이 없는 이온 임플란테이션, 새로운 재료 개발 등에 음이온을 직접 사용하는 새로운 연구가 진행되고 있으며, 이러한 관점에서 새로운 고체상의 Cs이온 법이 실험실 규모로 연구되고 있다. 본 논문에서는 음이온 Cs gun으로 DLC 박막을 실리콘 위에 제조하였다. 이 시스템은 가스가 필요없으므로, 고 진공에서 증착이 일어난다. C(sup)-빔 에너지는 80~150eV 사이에서 조절이 우수하였다. Raman 분석결과 박막의 DLC 지수, 즉$sp^3$비율은 이온 에너지 증가에 따라 증가하였으며, 미소 경도값 또한 7에서 14GPa로 증가하였다. DLC박막의 표면 평균거칠기(Ra)는 ~1$\AA$정도로 아주 매끈하였으며, 불순물이 내재되지 않는 박막을 얻을 수 있었다.
#Ion beam methods #amorphous materials #thin films

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