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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정연실 (수원대학교 전자재료공학과) 구본철 (수원대학교 전자재료공학과) 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제11호
발행연도
1999.1
수록면
1,117 - 1,122 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1999

코발트 폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 관한 연구
정연실 ,  구본철 ,  배규식 한국재료학회지 1999.01 학술저널
코발트 실리사이드를 도판트 소스로 이용한 폴리사이드 게이트의 전기적 특성
정연실 ,  김시중 ,  김주연 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1999.01 학술대회자료

1998

SADS 법으로 형성한 코발트 폴리사이드 게이트의 전기적 특성
정연실 ,  구본철 ,  김시중 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1998.01 학술대회자료

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5~10nm 두께의 얇은 산화막 위에 $\alpha$-실리콘과 Co/Ti 이중막을 순차적으로 증착하고 급속열처리하여 코발트 폴리사이드 전극을 만든 후, SADS법으로 다결정 Si을 도핑하여 MOS 커패시터를 제작하였다. 이때 drive-in 열처리조건에 따른 커패시터의 C-V 특성과 누설전류를 측정하여, $\textrm{CoSi}_{2}$의 열적안정성과 도판트 (B 및 As)의 재분포가 Co-폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 700^{\circ}C$에서 60~80초간 열처리시, 다결정 Si층의 도핑으로 우수한 C-V 특성과 낮은 누설전류를 나타냈으나, 그 이상 장시간 또는 $900^{\circ}C$의 고온에서는 $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해에 따른 Co의 확산으로 전기적 특성이 저하되었다. SADS법으로 Co-폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 도판트가 다결정 Si층으로 충분히 확산되는 것뿐만 아니라, $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해를 억제하는 것이 매우 중요하다.

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