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논문 기본 정보

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저자정보
서영훈 (전북대학교 화학공학부) 남기석 (전북대학교 화학공학부) 황용규 (원광대학교 물리학과) 서은경 (전북대학교 반도체 물성 연구소) 이형재 (전북대학교 물리기술학부 반도체 물성 연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제7권 제6호
발행연도
1997.1
수록면
472 - 478 (7page)

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TMS(tetramethysilane, Si(CH$_{3}$)$_{4}$)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 $\beta$-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H$_{2}$유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.

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